Transistores ficam quatro vezes mais rápidos

Redação do Site Inovação Tecnológica - 15/01/2013

Transístores de germânio ficam quatro vezes mais rápidos

Para obter o ganho de desempenho, os pesquisadores tensionaram o germânio, uma técnica que já vem sendo utilizada com o silício.
[Imagem: Winston Chern and James Teherani]

Mobilidade de carga

Quando tudo parece indicar que a tecnologia dos semicondutores chegou a um beco sem saída, os engenheiros encontram formas de superar os limites físicos dos materiais.

Engenheiros do MIT apresentaram um transístor que é nada menos do que quatro vezes mais rápido do que os transistores usados nos processadores mais modernos, e duas vezes mais rápido do que os melhores transistores já demonstrados em laboratório.

O transístor, do tipo p (positivo) - possui a mais elevada mobilidade de carga já medida até hoje.

Uma maior mobilidade de cargas - sejam elas positivas (lacunas) ou negativas (elétrons) - significa que se pode construir um transístor mais rápido com a mesma tensão de funcionamento, ou transistores com a mesma velocidade dos atuais mas que operem em tensões mais baixas.

Germânio tensionado

Tal como os demais transistores de alto desempenho que vêm sendo desenvolvidos nos últimos anos, o novo componente não é feito de silício, mas de um outro semicondutor, o germânio.

Para obter o ganho de desempenho, os pesquisadores tensionaram o germânio, uma técnica que já vem sendo utilizada com o silício - os átomos do material são forçados a ocupar uma posição mais próxima uns dos outros do que assumem naturalmente.

A vantagem é que o germânio já é utilizado em outros componentes eletrônicos, o que torna mais fácil integrar o novo transístor à plataforma CMOS, ao contrário de outros transistores de última geração, que costumam usar ligas exóticas.

Transistores tipos p e n

Todos os chips são compostos por dois tipos de transistores: um tipo chamado p, de positivo, e outro tipo chamado n, de negativo.

Assim, antes que o novo transístor possa ser usado para fabricar processadores quatro vezes mais rápidos será necessário obter melhorias também no tipo n.

O interessante é que, historicamente, tem sido mais fácil melhorar os transistores tipo n do que os do tipo p, uma tendência que agora se inverteu.