Memória mecânica poderá revolucionar a microeletrônica

Redação do Site Inovação Tecnológica - 03/12/2004

Quando o paradigma da eletrônica de estado sólido parecia ter eliminado completamente seus concorrentes, aparatos mecânicos dão a volta por cima e reaparecem em grande estilo. Aparatos nanomecânicos, para ser mais exato.

Há poucas semanas atrás foi apresentado um transistor mecânico. Agora foi a vez do cientista Pritiraj Mohanty, da Universidade de Boston, Estados Unidos, apresentar uma memória de computador mecânica de altíssima eficiência.

A célula de memória nanomecânica é menor e pode operar em densidades físicas muito superiores às memórias atuais. A foto mostra o nanodispositivo, com a corrente elétrica necessária para fazer cada uma das chaves vibrar.

"Em relação à tecnologia anterior [ele está se referindo aos melhores computadores atuais], nós produzimos células de memória que são mais rápidas e melhores do que as atualmente usadas," afirma Mohanty. "Esse dispositivo mecânico é um enfoque completamente novo para melhorar o armazenamento de dados. Ele pode ler e escrever de 1.000 a 100.000 vezes mais rápido do que as velocidades atuais. Com esses chips nanomecânicos, um editor de vídeo poderá ler instantaneamente um filme de alta resolução com dois minutos de duração."

A memória nanomecânica foi construída pelo processo de litografia por feixe de elétrons, a principal técnica de fabricação da nanotecnologia. O novo dispositivo funciona respondendo a correntes elétricas variáveis, assumindo posições que podem ser interpretadas como os zeros e uns que representam os dados armazenados magneticamente. As células de memórias atuais conseguem chavear, ou seja, alterar do estado zero para o um ou vice-versa, a uma taxa de apenas alguns kilohertz. Já a nova nanochave altera seu estado a uma freqüência de 23,57 megahertz, utilizando alguns femtowatts de energia - um femto é igual a 10^-15 - contra alguns miliwatts das memórias atuais. Ou seja, a nova chave é cerca de um milhão de vezes mais econômica.

A pesquisa contou com a participação dos estudantes Alexei Gaidarzhy, Robert Badzey e Guiti Zolfagharkhani.

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