Chip de memória 3D é feito com tecnologia de processo convencional

Redação do Site Inovação Tecnológica - 14/06/2007

A Toshiba apresentou uma nova tecnologia para a construção de células de memória tridimensionais que poderá incrementar a densidade das memórias flash sem exigir uma nova técnica de fabricação. A principal vantagem das novas memórias 3D é que elas podem ser produzidas utilizando-se os processos produtivos atuais e com um incremento mínimo no tamanho do chip.

Memórias 3D

Na nova estrutura de memórias 3D os elementos de memória são empilhados em formato de pilares, que atravessam múltiplas camadas de eletrodos e compartilham o uso dos circuitos periféricos.

Normalmente o avanço na construção das memórias acompanha o avanço na tecnologia dos processos de fabricação - cada nova geração de memória exige também uma nova geração de equipamentos para sua fabricação. Já as memórias 3D são fabricadas utilizando uma técnica de empilhamento dos elementos de memória tradicionais, que são colocados uns sobre os outros, repetindo sempre o mesmo processo na linha de montagem.

Densidade de armazenamento

A nova tecnologia da Toshiba compartilha circuitos periféricos entre as diversas camadas da memória, aumentando muito pouco o tamanho do chip em relação às memórias 2D, mesmo com o incremento na densidade de armazenamento. Além de ser mais fácil de se fabricar, sem a necessidade de repetição sucessiva das etapas produtivas.

A fabricação da nova memória tridimensional começa com uma pilha de várias camadas intercaladas de eletrodos e isolantes, na qual são feitos furos que atravessam todas as camadas. Esses furos são preenchidos com silício levemente dopado. A camada de eletrodo circunda esses pilares de silício a intervalos regulares e uma película de nitreto, usada para retenção dos dados e fixada em cada junta, funciona como uma célula NAND da memória flash.