IBM anuncia memória mais rápida do mundo, a eDRAM

Redação do Site Inovação Tecnológica - 15/02/2007

A IBM anunciou um avanço na construção de chips que permitirá triplicar a densidade de armazenamento das memórias para computador. Além de terem maior capacidade, as memórias construídas com a nova tecnologia serão muito mais rápidas do que as atuais, em razão da diminuição do tamanho dos componentes individuais - as chamadas células da memória.

As novas memórias vêm complementar o anúncio feito quase simultaneamente há poucos dias, quando a Intel e a própria IBM anunciaram um avanço na construção de transistores - os blocos básicos com que são construídos os chips - com a substituição do silício por háfnio (veja Intel mostra nova geração revolucionária de transistores e IBM afirma que também sabe fabricar os novos transistores de última geração).

A memória, batizada de eDRAM ("Embedded Dynamic Random Access Memory"), contém mais de 12 milhões de bits e uma nova lógica de processamento. Ela é baseada na tecnologia SOI ("Silicon-on-Insulator"). Segundo a IBM, as memórias eDRAM estarão no mercado em 2008.

"Com esta solução revolucionária para o hiato processador/memória, a IBM está efetivamente dobrando o desempenho do microprocessador além do que a miniaturização clássica sozinha pode alcançar," comenta Subramanian Iyer, engenheiro da empresa. "Como os componentes semicondutores atingiram a escala atômica, inovações no projeto dos próprios chips têm substituído a ciência dos materiais como um fator chave para a continuidade da Lei de Moore."

Cada célula de memória construída com a nova tecnologia mede apenas 0,126 mm², sendo alimentada com uma tensão de 1 Volt e consumindo 76 mW de energia. Seu tempo de acesso é 2 nanosegundos.