Philips desenvolve nano-memória não volátil

Redação do Site Inovação Tecnológica - 21/03/2005

Cientistas da empresa holandesa Philips anunciaram a criação de um novo tipo de memória não volátil (não perde os dados na ausência de energia) que promete ter a velocidade, densidade, baixo consumo e baixa tensão necessários para que ela possa ser utilizada nos futuros chips construídos em escalas nanométricas. Ao contrário das atuais tecnologias, como as memórias Flash, o desempenho da nova memória melhora em virtualmente todos os aspectos quanto menor ela for.

A nova memória é feita de uma classe de materiais chamada de "materiais com alteração de fase", que alteram suas características físicas dependendo se estiverem na fase amorfa ou na fase cristalina. Esses materiais são largamente utilizados em meios óticos de armazenamento, como os DVD/RW. Nesses discos, é a reflexibilidade do material que se altera, com um laser sendo utilizado tanto para aquecer o material para a temperatura desejada (fazendo-o alternar entre suas fases amorfa e cristalina) como para detectar a alteração resultante em sua reflexibilidade.

A nova célula de memória de estado sólido da Philips emprega materiais similares depositados na forma de uma película ultrafina sobre a superfície de um chip de silício, utilizando uma corrente elétrica para fazê-lo alternar entre as fases e para detectar as alterações resultantes em sua resistência elétrica. Embora esse tipo de memória já tenha sido objeto de pesquisas anteriores, esta apresenta as características de escala e de desempenho necessárias para a construção de chips em nanoescala.

O que os engenheiros da Philips fizeram foi desenvolver um material com alteração de fase, à base de antimônio e telúrio, no qual o limite para a alteração de fase ocorre sob a ação de um campo elétrico de cerca de 14V/μm. Esta era justamente a deficiência dos modelos anteriores desse tipo de memória não volátil.

À medida que a célula de memória é construída em dimensões menores, com uma correspondente redução no comprimento da película, diminui também a tensão necessária para forçar a alteração de fase do material. Para uma película de 50 nanômetros de comprimento é necessária uma tensão de apenas 0,7 volts, o que está perfeitamente dentro do que se espera que estará disponível no interior dos chips do futuro. Os chips atuais funcionam tipicamente a uma tensão de 3,3 volts.

A pesquisa será publicada no exemplar de Abril da revista Nature Materials.