Memória não volátil deve chegar ao mercado em 2005

Redação do Site Inovação Tecnológica - 16/12/2004

Memória magnética

As empresas japonesas Toshiba e NEC anunciaram ontem o desenvolvimento conjunto de uma nova memória de acesso aleatório magneto-resistiva (MRAM), uma tecnologia considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho.

Esse tipo de memória retém os dados mesmo quando o equipamento é desligado.

O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que corta pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita, e de uma nova arquitetura MRAM com características de alta velocidade e excelente desempenho.

Os dois avanços permitirão o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva.

Memória MRAM

A nova arquitetura MRAM se destaca pela rapidez no processo de escrita e leitura, alta densidade e, principalmente, pela não volatilidade, ou seja, ela retém os dados quando a energia é interrompida.

Apesar de seu potencial, as memórias magneto-resistivas até agora consumiam muita energia e eram baseadas em células - as unidades individuais de armazenamento dos dados - muito grandes.

As duas empresas, que trabalham no projeto desde 2002, conseguiram reduzir o consumo de energia criando um novo formato para a junção de tunelamento magnético que armazena a informação. Em vez de retangular, a nova junção possui saliências laterais em arco a partir do seu centro; seu desenho se parece com uma moeda colocada sobre um retângulo comprido.

Com esse novo design, a corrente necessária para a escrita foi reduzida pela metade, além de propiciar a redução no número de erros de escrita, mesmo se houver flutuações nas características de chaveamento de cada célula.

Tipos de memória magnética

A Toshiba e NEC também desenvolveram uma nova arquitetura de célula altamente promissora. As pesquisas até hoje produziram duas propostas básicas para as estruturas das MRAM. A primeira acopla cada célula a um transistor, o que melhora o tempo de leitura, mas aumenta o tamanho da célula.

Na segunda proposta, chamada de estrutura de ponto cruzado, o transistor é retirado de cada célula individual, o que reduz o tamanho da célula, mas aumenta o tempo de leitura e o número de erros, devido à geração de correntes de fuga, que se dirigem para células não desejadas.

A nova MRAM adota um enfoque intermediário. Ela utiliza uma estrutura de ponto cruzado na qual um transistor controla quatro células. Com isto as células têm o mesmo tamanho que as células das memórias DRAM convencionais. E o tempo de leitura ficou em torno de 250 nanossegundos, quatro vezes mais rápido do que as MRAM com a estrutura convencional.

As empresas anunciaram também que esperam desenvolver todos os processos técnicos para produção em escala industrial da nova memória não volátil ainda em 2005.