IBM e Infineon apresentam protótipo de memória magnética

Redação do Site Inovação Tecnológica - 28/06/2004

Imagine desligar o seu computador, sem se preocupar em salvar os dados, em fechar os programas, ou mesmo clicar na paradoxal dupla "Iniciar-Desligar". E você faz isso com toda a naturalidade, já que, ao religar o micro, não apenas os seus dados estarão lá, como a tela será mostrada instantaneamente com os seus programas abertos, exatamente da maneira que você os deixou.

Esta ainda é apenas um promessa, mas que está mais perto da realidade agora graças ao desenvolvimento das "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM), memórias feitas de materiais magnéticos, que não perdem as informações quando o computador é desligado.

A Infineon e a IBM apresentaram os primeiros resultados concretos de sua parceria para o desenvolvimento das MRAM: trata-se do mais avançado protótipo desse novo tipo revolucionário de memórias para computadores, uma memória feita de material magneto-resistivo de 16 Mbit.

Ao contrário das memórias convencionais, que utilizam cargas elétricas, os chips MRAM utilizam a magnetização para guardar informações. Nos computadores atuais, o sistema tem que fornecer energia continuamente para os chips de memória para que os dados continuem lá. Isto significa que, não apenas os dados continuarão lá quando a energia for desligada, como o consumo total do computador será menor, já que não será necessário abastecer continuamente as memórias.

O conceito é muito similar à forma hoje utilizada para guardar dados no disco rígido do computador. Mas com a vantagem de que as memórias MRAM são muito mais rápidas. O protótipo de 16 Mbit agora apresentado é cerca de 1000 vezes mais rápido do que as memórias flash atuais, que também não perdem os dados na ausência de energia.

As memórias flash, que hoje equipam, por exemplo, as câmeras fotográficas digitais, têm um limite de ciclos de funcionamento: depois de um certo número de gravações elas deixam de funcionar. Isto não acontece com as MRAM, que tem um ciclo operacional um milhão de vezes maior.

Ou seja, as novas MRAM unem o melhor de cada um dos tipos atuais de memórias: a durabilidade da memórias dinâmicas (DRAM), a alta velocidade das memórias estáticas (SRAM) e não volatilidade das memórias flash.

A alta capacidade de armazenamento da nova memória - 16 Mbit ou 16 milhões de células individuais, cada uma armazenando um bit - permitiu a utilização de células de apenas 1,4 micra quadrada; para comparação, as 5000 células juntas têm a mesma área que a seção transversal de um fio de cabelo humano.