Memórias FeRAM conservam dados sem energia

Redação do Site Inovação Tecnológica - 22/07/2003

A empresa japonesa Matsushita Electric, mais conhecida por sua marca de produtos domésticos Panasonic, anunciou que iniciará neste mês a produção em massa das primeiras memórias FeRAM ("Ferroelectric Random-Access Memory") utilizando tecnologia de fabricação de 0,18 micrômetros. As memórias FeRAM oferecem alta velocidade de escrita e baixo consumo de energia, além da capacidade de reterem os dados mesmo quando se desliga o equipamento.

Espera-se que as memórias FeRAM desempenhem um papel central nas tecnologias de "computação em qualquer lugar", principalmente nas conexões de rede sem fio, comércio eletrônico e gerenciamento de segurança da informação. À medida em que estas novas tecnologias transformam-se em produtos, aproxima-se o futuro no qual as pessoas poderão efetuar pagamentos em total segurança apenas portando no bolso um chip eletrônico, onde todas as suas informações estarão criptografadas.

Os usuários de pedágios das estradas brasileiras já conhecem um sistema desse tipo, embora ainda não tão avançado, que permite que o pagamento das (altas) tarifas seja feito sem a necessidade de se parar o veículo. No futuro próximo, serão abolidas também necessidades similares, como o preenchimento de fichas em hospitais, entrada de alunos em escolas etc.

Mas, já no presente, as memórias FeRAM permitirão que computadores portáteis, PDAs e telefones celulares sejam equipados com funcionalidades reconfiguráveis, que os permitirão interagir com outros equipamentos, qualquer que seja o protocolo ou o método de comunicação utilizado.

Comparadas com as memórias FeRAM de tecnologia CMOS de 0,35 micrômetros, as novas memórias agora lançadas possuem maior capacidade de armazenamento graças à tecnologia de 0,18 micrômetros, que aumenta sensivelmente a quantidade de células possíveis de serem fabricadas por unidade de área. Além disso, as células individuais de memória são empilhadas umas sobre as outras, reduzindo seu tamanho final para 1/10 dos modelos anteriores. Estas células individuais, medindo menos do que 100 nanômetros cada uma, são minúsculos capacitores de um material ferroelétrico ultrafino chamado tantalato de estrôncio-bismuto (SrBi₂Ta₂O₉).

Em comparação com as memórias FLASH ou EEPROM ("Electrically Erasable Programmable Read-only Memory"), as novas FeRAM oferecem maior segurança e confiabilidade, graças à sua velocidade de processamento cinco vezes mais alta, maior número de ciclos de escrita e completa retenção de dados na ausência de energia.