Pesquisa
Texto pesquisado: óxido de háfnioOs pesquisadores finlandeses substituíram o dióxido de silício por óxido de háfnio.
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Engenheiros melhoraram substancialmente a capacidade de armazenamento das memórias ferroelétricas, uma das tecnologias mais promissoras para o futuro.
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Pela primeira vez, engenheiros conseguiram mesclar a promissora computação analógica com a tradicional computação digital.
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"Um pendrive USB típico baseado em uma faixa contínua [de dados] seria capaz de armazenar entre 10 e 100 vezes mais informações."
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Uma redução de 30% no consumo dos computadores poderia ter um impacto dramático na luta contra as mudanças climáticas.
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Memórias neuromórficas, que imitam a forma de funcionamento dos neurônios cerebrais, prometem computadores mais rápidos por uma série de fatores.
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Uma propriedade inusitada, chamada "capacitância negativa", permitiu criar um novo tipo de transístor, validando uma teoria proposta em 2008.
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Pela primeira vez, engenheiros conseguiram depositar uma película ultrafina de um óxido ferroelétrico em um substrato de polímero flexível.
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O calor pode ser ajustado para permitir o funcionamento eficiente das células termofotovoltaicas.
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A cerâmica chamou a atenção da agência espacial russa, que irá testá-la para uso em aviões hipersônicos.
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A nova arquitetura elimina o silício para resolver os problemas de engarrafamento de dados.
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Além de refletir toda a energia do Sol, o material ainda pega o calor debaixo dele e o envia para o espaço - sem gastar energia.
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Os elétrons movem-se muito mais rapidamente nos nanotubos de carbono do que no silício. E os transistores vão definitivamente para a escala atômica.
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E não supera por pouco: um transístor de molibdenita em
standby consome 100.000 vezes menos energia do que um transístor atual de silício.
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Descoberto o germânio supercondutor, um feito surpreendente porque esse elemento não era considerado um candidato para substituir o silício.
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Os pesquisadores finlandeses substituíram o dióxido de silício por óxido de háfnio.
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Pesquisadores estimam que o limite esteja entre 16 e 11 nanômetros. "Nesse ponto não deverá ser mais prático ou econômico fazer as coisas menores, ainda que, em teoria, isso possa ser possível," diz coordenador do projeto europeu NanoCMOS.
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Os computadores estão prestes a passar por uma remodelação total. A Intel, o maior fabricante mundial de microprocessadores, anunciou que sua próxima geração de transistores terá eletrodos de metal - e não de silício.
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