Tecnologia das memórias Flash atinge a geração dos 10 nanômetros

Redação do Site Inovação Tecnológica - 14/12/2007

A Toshiba anunciou o desenvolvimento de um componente básico das memórias Flash com dimensões na casa dos 10 nanômetros.

Essa dimensão, até pouco tempo atrás considerada inalcançável com a técnica de litografia, representa quatro gerações à frente das tecnologias atualmente em utilização industrial.

Camada de tunelamento

O componente é conhecido como camada de tunelamento duplo. A camada de tunelamento controla a entrada e a saída dos elétrons em dispositivos com a arquitetura SONOS - Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor, uma estrutura de memória que mantém os elétrons numa parte específica da célula de memória.

A nova estrutura consiste em uma camada de nanocristais de silício com 1,2 nanômetro de espessura, ensanduichada entre dois filmes de óxido com apenas 1 nanômetro de espessura. Segundo a empresa, esta estrutura garante uma retenção dos dados por mais tempo e operações de escrita e apagamento mais rápidas, utilizando a característica natural segunda a qual a resistência do material se altera com a tensão aplicada.

Quantidade de elétrons

A quantidade de elétrons salvos - que representam a informação binária gravada - foi aumentada pela substituição do Si₃N₄ pelo Si₉N₁₀, um material que contém mais átomos de silício.

Os testes mostraram que, apesar de minúsculo, o novo componente tem uma vida útil estimada em 10 anos. Componentes na faixa dos 10 nanômetros permitirão a fabricação de chips de memória não volátil com densidade de 100 gigabits.