Redação do Site Inovação Tecnológica - 04/11/2011
Memória resistiva
Engenheiros coreanos criaram a primeira memória RAM flexível totalmente funcional.
Eles a chamam de RRAM ou, mais formalmente, de memória de acesso aleatório resistiva não-volátil flexível.
Keon Jae Lee e seus colegas do Instituto KAIST afirmam que as células de RRAM podem ser acessadas aleatoriamente, escritas e apagadas, em condições normais de operação, tudo sobre um substrato plástico flexível.
Este é um feito importante da eletrônica orgânica, cuja principal promessa - além do baixo consumo de energia e baixo custo - é a criação de equipamentos flexíveis, como telas de enrolar e computadores de vestir.
Embora vários grupos de pesquisa tenham apresentado memórias fabricadas sobre plástico antes, as interferências entre as células têm impedido que elas cheguem à fase de produção industrial.
A grande dificuldade é a integração dos transistores com as células de memória, uma vez que os transistores orgânicos ainda não haviam alcançado um desempenho suficiente para controlar as células de memória convencionais.
Memristor
A equipe do Dr. Lee resolveu o problema da interferência entre as células de memória usando dois componentes individualmente inovadores.
O primeiro é um memristor, um componente inovador que está sendo considerado a base de uma nova geração de computadores graças à sua capacidade de "lembrar" dos dados que ele registra - por isso ele é muitas vezes chamado de sinapse artificial.
Cada memristor, feito de óxido de titânio, foi integrado ao segundo componente inovador, um transístor formado por um único cristal de silício.
E, não menos inovador, ambos foram postos para funcionar sobre um substrato plástico, em vez da tradicional pastilha de silício.
"Este resultado representa uma tecnologia com um fortíssimo potencial para tornar realidade sistemas eletrônicos verdadeiramente flexíveis, para o desenvolvimento de computadores dobráveis, em um futuro próximo," disse o pesquisador.