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Eletrônica

Irídio aumenta velocidade das memórias flash

Agência Fapesp - 15/12/2010

Irídio aumenta velocidade de memórias flash
A porta flutuante é um dos tipos de transistores na memória flash, separada da porta de controle por uma camada fina de um óxido.
[Imagem: David W.]

Porta flutuante

Um dos metais mais raros na Terra pode ser uma excelente opção para a produção de memórias cada vez mais rápidas para computadores e dispositivos eletrônicos, segundo estudo feito por um grupo de cientistas de Taiwan.

Trata-se do irídio, o elemento químico de número atômico 77, um metal de transição muito resistente à corrosão. É empregado em ligas de alta resistência que podem suportar elevadas temperaturas. Pouco abundante, é encontrado na natureza associado ao ósmio e à platina.

"Ao inserirmos nanocristais de irídio na porta flutuante, uma parte crítica da memória flash, verificamos excelente capacidade de funcionamento bem como estabilidade nas temperaturas elevadas usadas no processamento de tais dispositivos semicondutores", disse Wen-Shou Tseng, do Instituto de Pesquisa em Tecnologia Industrial de Taiwan, um dos autores do estudo.

A porta flutuante é um dos tipos de transistores na memória flash, separada da porta de controle por uma camada fina de um óxido.

Irídio

Os cientistas escolheram o irídio principalmente por duas propriedades muito desejadas na fabricação de memórias eletrônicas.

Em primeiro lugar, o metal mantém fortemente seus elétrons, o que é uma propriedade excelente relacionada com a manutenção de informação digital.

Em segundo, ele tem um ponto de derretimento de cerca de 2.500º C, muito acima dos 900º C que os chips precisam suportar durante a fabricação.

Além disso, apesar de ser raro, apenas um bilionésimo de bilionésimo de grama de irídio é necessário para cada porta das memórias.

Muitos países têm investigado novas formas de melhorar a popular memória flash, que é um tipo de chip de memória não volátil usado em praticamente todas as câmeras digitais e eletrônicos portáteis. Recentemente, a memória flash também tem sido aplicada em computadores, como a nova versão do MacBook Air, da Apple.

Miniaturização

Segundo o novo estudo, a maneira mais fácil para que as futuras memórias do tipo contenham mais dados e possam gravar e acessar dados mais rapidamente está na diminuição das dimensões dos chips atuais, incluindo das portas de seus transistores.

O problema é que o desenho da porta flutuante atual já evoluiu até um ponto a partir do qual não será possível diminuir muito mais e continuar suportando as cargas elétricas responsáveis pelo armazenamento dos dados.

E é aí que entram os nanocristais de irídio, propostos como uma mudança relativamente simples para melhorar o desempenho e reduzir o tamanho dos componentes, sem que isso implique alterar fundamentalmente seu desenho atual.

Bibliografia:

Artigo: Formation of iridium nanocrystals with highly thermal stability for the applications of nonvolatile memory device with excellent trapping ability
Autores: Terry Tai-Jui Wang, Chang-Lung Chu, Ing-Jar Hsieh, Wen-Shou Tseng
Revista: Applied Physics Letters
Vol.: 97, 143507
DOI: 10.1063/1.3498049
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