Redação do Site Inovação Tecnológica - 14/08/2013
A Samsung anunciou que está colocando no mercado as primeiras memórias flash construídas com tecnologia 3D.
Segundo a empresa, a tecnologia 3D V-NAND (NAND vertical 3D) quebra os limites atuais para a miniaturização de cartões de memória, pendrives e discos de estado sólido (SSDs).
As memórias flash 3D alcançou uma densidade de armazenamento de 128 gigabits graças a uma tecnologia proprietária para fazer as conexão entre as pastilhas sobrepostas.
Cada chip de memória flash 3D possui até 24 pastilhas sobrepostas, cada uma com 16 GB de capacidade.
Grosso modo, mantendo as dimensões dos chips atuais, isso significa que as memórias 3D permitirão o lançamento de celulares ou câmeras com uma capacidade de, no mínimo, 384 GB.
Memórias flash
Um dos maiores sucessos da eletrônica nas últimas décadas, as memórias flash têm sido construídas em estruturas planares, como os demais circuitos integrados.
Conforme a tecnologia de fabricação se aproxima da classe dos 10 nanômetros, a indústria começou a ver que estava próxima do limite de miniaturização, devido à interferência entre as células de memória, que provoca perda confiabilidade na retenção dos dados das células flash NAND.
Praticamente todas as empresas de microeletrônica estão trabalhando no desenvolvimento de chips 3D para superar essa e outras restrições à miniaturização.
Na tecnologia desenvolvida pela Samsung, uma carga elétrica é colocada temporariamente em uma câmara de retenção na camada não condutora da memória, que é feita de nitreto de silício (SIN), em vez de usar as tradicionais portas flutuantes para evitar interferência entre as células vizinhas.
Além da miniaturização, houve um ganho substancial de velocidade e um aumento na confiabilidade, entre 2X e 10X, segundo a empresa.