Intel rende-se à molibdenita rumo à era pós-silício

Redação do Site Inovação Tecnológica - 11/06/2014

Estrutura do semicondutor dissulfeto de molibdênio, que é particularmente promissor para a fabricação de componentes eletrônicos ultraminiaturizados, além de telas flexíveis e transparentes.
[Imagem: Purdue University photo/Lingming Yang]

Vale do Molibdênio

A molibdenita, um óxido de molibdênio com apenas um átomo de espessura, vem superando rapidamente seu correlato de carbono bem mais famoso, o grafeno.

Não há mais dúvidas de que a molibdenita saiu na frente na corrida para uma era pós-silício desde que ela foi usada para construir células solares ou LEDs - um captura, enquanto o outro emite luz -, uma memória flash, um sensor fotográfico ultrassensível e até um chip completo.

Em maio do ano passado, a IBM já havia apresentado seus próprios transistores de molibdenita.

Agora foi a vez da Intel anunciar os resultados de um desenvolvimento para "potencialmente substituir o silício nos futuros chips de computador", segundo a empresa.

O trabalho foi realizado por um consórcio que reúne também a fabricante de semicondutores Sematech e a equipe do professor Peide Ye, da Universidade Purdue, nos Estados Unidos.

Dissulfeto de molibdênio

A equipe conseguiu fabricar componentes em uma camada "bidimensional" do semicondutor dissulfeto de molibdênio - uma camada monoatômica de molibdênio ensanduichada entre duas camadas monoatômicas de sulfeto.

Esse material vem sendo estudado por várias equipes ao redor do mundo, mas até agora havia um problema para seu uso prático: uma forte resistência elétrica entre os contatos metálicos e as camadas monoatômicas do material.

Essa "resistência de contato" limita o fluxo de corrente entre a fiação interna do chip e os transistores de molibdênio, reduzindo o desempenho geral.

A equipe do Professor Peide Ye descobriu a solução dopando as camadas bidimensionais com moléculas de um composto químico chamado DCE (1,2 dicloroetano).

A dopagem - um processo largamente utilizado desde os primórdios da indústria eletrônica - resultou em uma redução de 10 vezes na resistência de contato e uma redução de 100 vezes na resistividade de contato, outra medida de resistência.

"É inerentemente difícil dopar uma única camada atômica," disse Ye. "É muito mais difícil do que dopar o silício em blocos para fazer os componentes semicondutores convencionais. Eu acredito que um importante fator para alcançar isso foi a colaboração entre a academia, a Intel e a Sematech."