Logotipo do Site Inovação Tecnológica





Eletrônica

Transístor a laser produz uma saída elétrica e outra óptica

Redação do Site Inovação Tecnológica - 09/02/2006

Transístor a laser produz uma saída elétrica e outra óptica

Os cientistas Milton Feng e Nick Holonyak, que criaram o primeiro transístor a laser, agora descobriram que sua invenção tem características não lineares fundamentais, que permitem sua utilização como um processador de sinais de alta freqüência, com dupla entrada e dupla saída. Este é um comportamento não apresentado pelos transistores tradicionais.

O novo componente combina a funcionalidade tanto do transístor quanto do laser, convertendo os sinais elétricos de entrada em dois sinais de saída, um elétrico e outro óptico. Isto oferece capacidades totalmente novas na mixagem e chaveamento de sinais.

"Nós atingimos alguma coisa surpreendentemente básica e rica em possibilidades," comemora Honolyak. "Nós temos de uma só vez uma nova forma de transístor e uma nova forma de laser."

Para manipular os dois sinais, os cientistas construíram duas entradas na base do transístor, sua região ativa. "Nós podemos misturá-los e manipulá-los de forma a conseguir um sinal elétrico, que é múltiplo da primeira entrada mais um multiplicador da segunda entrada," explica Feng. O sinal óptico também é um múltiplo dos dois sinais.

Modificando a região da base do transístor com poços quânticos, os cientistas fizeram com que o componente passasse de uma emissão espontânea para uma emissão estimulada. O processo de recombinação alterada do transístor muda suas características, dando-lhe uma não-linearidade que poderá ser tecnologicamente muito útil em uma ampla gama de aplicações.

O novo transístor a laser abre a possibilidade de se substituir a fiação entre os componentes por interconexões ópticas, construídas tanto na placa quanto no interior do próprio chip, oferecendo capacidades e desempenho superiores aos circuitos que necessitam da integração eletrônica-fotônica.

Bibliografia:

Artigo: Signal mixing in a multiple input transistor laser near threshold
Autores: Milton Feng, Nick Holonyak, Gabriel Walter, Richard Chan, Adam James
Revista: Applied Physics Letters
Data: 6 February 2006
Vol.: 88, 063509 (2006)
DOI: 10.1063/1.2171834
Seguir Site Inovação Tecnológica no Google Notícias





Outras notícias sobre:
  • Transistores
  • Fotônica
  • Processadores
  • LEDs

Mais tópicos