Tecnologia de 30 nanômetros estréia na fabricação de memórias flash

Redação do Site Inovação Tecnológica - 25/10/2007

A coreana Samsung acaba de anunciar a fabricação da primeira célula de memória utilizando a tecnologia de 30 nanômetros. Isto significa que cada componente individual da memória - o transístor - mede 30 nanômetros. Seria necessário colocar mais de 33.000 desses componentes lado a lado para preencher o espaço de 1 milímetro.

Tecnologia de 30 nanômetros

A tecnologia de 30 nanômetros foi utilizada para a fabricação de uma memória flash de 64 Gigabit (Gb). Combinadas, essas células podem produzir um cartão de memória flash que chegue até a 128 Gigabytes (GB) - o equivalente a 80 filmes com qualidade de DVD ou 32.000 músicas MP3.

A primeira memória flash, lançada em 2001, utilizava uma tecnologia de 100 nanômetros. Este é o sétimo ano consecutivo que estas memórias têm incremento em sua tecnologia de fabricação em termos de densidade.

Tecnologia de 45 nanômetros

Em junho deste ano, a empresa japonesa Panasonic inaugurou a primeira fábrica do mundo capaz de produzir circuitos integrados com uma tecnologia de 45 nanômetros. A fábrica já está em operação, fabricando codecs baseados em hardware, com capacidade para reduzir os dados transmitidos através de redes de computadores para até um terço do seu tamanho atual.

Embora se espere que os grandes fabricantes de microprocessadores, como Intel, AMD e IBM, sejam as primeiras a adotar estas novas tecnologias, o volume de capital necessário para se construir uma nova fábrica tem sido um impeditivo cada vez mais forte para que essas empresas abandonem suas fábricas "antigas" - um antigamente que beira os dois ou três anos.