Panasonic produz o primeiro transístor vertical

Redação do Site Inovação Tecnológica - 20/07/2006

O esforço rumo à miniaturização - e, por decorrência, ao aumento da velocidade e da capacidade dos equipamentos eletrônicos - tem levado a muitas soluções inovadoras - mas algumas são mais peculiares do que outras. Em 2004 a Toshiba lançou o primeiro disco magnético no qual os bits ficam de pé, economizando espaço e aumentando a densidade de armazenamento de dados.

Agora a também japonesa Panasonic levou a idéia para os transistores, os blocos básicos com que são construídos os chips e circuitos integrados. A empresa anunciou o desenvolvimento do primeiro transístor de nitreto de gálio (GaN) com uma estrutura vertical.

A nova estrutura deverá reduzir dramaticamente o tamanho dos chips, em comparação com os microprocessadores atuais, de estrutura planar - ou seja, com os transísores deitados. O transístor deitado ocupa apenas um oitavo da área ocupada por um transístor tradicional.

O novo transístor, com um canal de apenas 0,3 micrômetros, resolve também um problema comum nos componentes de GaN. O problema conhecido como colapso de corrente causa a redução na corrente de dreno quando o transístor opera em altas voltagens. Isso ocorre porque cargas elétricas ficam aprisionadas na superfície do componente. Como o transístor vertical tem uma área superficial muito menor, o efeito é totalmente suprimido.

A fabricação do transístor vertical exigiu o desenvolvimento de várias tecnologias de processo. Para se ter uma idéia, o desenvolvimento resultou em nada menos do que 17 pedidos de patente, aí incluídos os referentes ao processo de fabricação e aqueles referente ao próprio transístor vertical.