Nitreto de gálio agora pode ser produzido em baixas temperaturas

Redação do Site Inovação Tecnológica - 23/02/2006

Uma equipe de pesquisadores do Laboratório Los Alamos, Estados Unidos, desenvolveu um novo método para o crescimento de filmes cristalinos de nitreto de gálio que funciona a baixas temperaturas e em ambiente não-corrosivo.

As técnicas atuais limitam os tipos de materiais que podem ser utilizados como substratos, em conjunto com o nitreto de gálio, justamente pela característica inóspita do ambiente de produção.

Esse semicondutor é, por exemplo, utilizado na fabricação dos painéis solares de satélites e também foi o material que permitiu a criação dos LEDs azuis. Mas a nova descoberta poderá aumentar enormemente sua utilização em componentes optoeletrônicos, como diodos a laser, dispositivos de armazenamento de dados de alta densidade, telas planas e lâmpadas de estado sólido.

Os cientistas utilizaram uma técnica conhecida como litografia energética por feixe de átomos neutros, um feixe de átomos de baixa energia cinética que pode ser utilizado para várias operações químicas superficiais a temperaturas baixas. Eles conseguiram crescer os filmes cristalinos de nitreto de gálio sobre safira em temperaturas entre 100 e 500º C. Os processos atuais funcionam entre 900 e 1.100º C.

"As baixas temperaturas empregadas [...] permitem a incorporação de dopantes eletrônicos e magnéticos nos filmes, ao mesmo tempo em que evita os problemas de aglomeração e segregação de fase que estão limitando o uso disseminado desse material em outras aplicações," explica o cientista Alex Mueller.

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