Cientistas criam transistor metálico

Redação do Site Inovação Tecnológica - 31/05/2004

Cientistas da Universidade de Illinois (Estados Unidos) criaram uma nova técnica que permite a construção de um transistor FET ("Field-Effect Transistor") em um nanotubo de carbono de parede simples capaz de conduzir eletricidade com uma eficiência 40 vezes maior do que a alcançada com o cobre.

Os transistores FET estão presentes em todos os equipamentos eletrônicos e chips atuais. Hoje eles são fabricados com material semicondutor, com um campo elétrico sendo utilizado para bloquear ou permitir o fluxo de eletricidade.

No artigo, publicado na revista Applied Physics Letters, os cientistas Slava Rotkin e Karl Hess afirmam que, para se alcançar a possibilidade máxima de miniaturização de componentes, os transistores do futuro deverão ter uma condutância - a capacidade de deixar fluir a eletricidade - próxima à dos metais.

Um transístor metálico deverá consumir muito menos energia, podendo operar a freqüências mais elevadas sem apresentar os problemas de dissipação de calor dos componentes semicondutores. O problema é que os metais impedem a ação do campo elétrico que faz os transistores FET funcionarem, exceto em distâncias extremamente curtas.

Foi por isto que os cientistas utilizaram nanotubos de carbono. Um nanotubo é uma "folha" de carbono tão fina que sua espessura é de apenas um átomo. A imagem acima, que foi capa da revista, ilustra o transístor metálico de nanotubo de carbono.

Além das diminutas dimensões do nanotubo, os cientistas tiraram vantagem também de um campo elétrico altamente irregular, que quebra a simetria molecular do nanotubo, fazendo-o operar ora como condutor, ora como semicondutor.