Transistores moleculares podem armazenar até três bits cada um

Redação do Site Inovação Tecnológica - 27/04/2004

Pesquisadores da Universidade da California (Estados Unidos) e do Laboratório Ames da NASA testaram com sucesso uma nova memória de computador baseada em moléculas que se auto-arranjam, com potencial para armazenar até 40 Gigabits de dados por centímetro quadrado.

Segundo o professor Chongwu Zhou, que liderou a pesquisa, a característica de auto-montagem poderá significar que novas memórias de ultra-densidade poderão ser fabricadas a custos menores do que as atuais memórias Flash, largamente utilizadas em câmeras digitais.

As novas memórias, ainda em fase inicial de pesquisa, conseguem armazenar mais dados por unidade de área porque cada célula de memória pode armazenar até três bits de informação e não apenas um, como nas memórias convencionais de silício. Elas possuem 8 estados eletrônicos estáveis e identificáveis. As experiências mostraram que as memórias moleculares conseguem armazenar suas informações por até 600 horas, o que é promissor para um material nessa fase pesquisas.

Os cientistas sintetizaram nanofios de óxido de índio (In₂O₃) de 10 nanômetros de diâmetro e cerca de 2.000 nanômetros de comprimento, por um processo de "ablação por laser": um composto contendo índio é inicialmente vaporizado, precipitando-se a seguir em um processo catalisado no qual os nanofios formam-se espontaneamente à medida em que o índio reage com o oxigênio da atmosfera. Ou seja, o processo funciona "a frio" e em ambiente comum.

Os pesquisadores colocaram os nanofios sobre uma finíssima camada de quartzo e os ativaram submergindo-os em diversas soluções, várias das quais mostraram-se adequadas: o material dissolvido depositou-se sobre os nanofios, criando uma finíssima camada de revestimento que originou os transistores.

Os transistores resultantes podem ser colocados em três estados distintos de ativação, utilizando-se diferentes voltagens para estimulá-los.