Parceria para produção de silício expandido

Redação do Site Inovação Tecnológica - 21/02/2003

Um projeto conjunto entre universidade e empresa privada pretende iniciar uma verdadeira revolução na microeletrônica, permitindo a produção de chips mais rápidos, baratos e robustos. A parceria, estabelecida entre a Universidade de Newcastle (Inglaterra) e o fabricante de semicondutores Atmel, visa produzir chips de "silício expandido". A "expansão" ou "excitação", consiste na adição de germânio ao silício tradicional utilizado na fabricação de semicondutores.

A Atmel, cujos chips de silício tradicionais são aplicados em produtos tão diversos quanto cartões de crédito inteligentes e consoles de vídeo-game, receberá uma equipe de cinco pesquisadores da Universidade Newcastle, chefiados pelo professor Anthony O'Neill.

"Com este processo nós podemos criar microchips de silício expandido, os quais serão muito mais rápidos ou consumirão menos energia do que os chips convencionais," explicou o professor O'Neill.

"Os microchips têm dobrado de desempenho a cada 18 meses nos últimos 30 anos, mas o fim do caminho já está à vista, o que significa que inovações como o silício expandido são necessárias para a fronteira do conhecimento em microeletrônica," acrescentou O'Neill, que tem trabalhado com a dopagem do silício nos últimos dez anos.

"Nós temos agora o potencial para desenvolvimento de um novo tipo de processo que poderá nos fornecer chips mais baratos e mais rápidos," disse Craig McInnes, diretor da Atmel. "Eles serão os líderes de mercado no futuro. A Atmel e a Universidade Newcastle juntaram forças para desenvolver um dos microchips mais rápidos do mundo." completou ele.

O silício expandido com germânio tem sido considerado como uma das tecnologias emergentes mais importantes para a próxima geração de semicondutores. Talvez sua maior vantagem seja o fato de que a nova tecnologia é totalmente compatível com os processos hoje utilizados na fabricação de semicondutores, o que significa que sua adoção poderá ser rápida e barata para os fabricantes.

A expansão do silício aumenta a mobilidade dos elétrons, permitindo a construção de transistores que suportam correntes elétricas maiores. O processo consiste em se alinhar os átomos em um filme de silício entre 10 e 30 nanômetros de espessura, sobre uma camada de liga de silício e germânio. A concentração de germânio é crucial na determinação da separação entre os átomos da liga.

A tecnologia do silício expandido difere da atual tecnologia SiGe, já dominada por todos os fabricantes, utilizada para aumentar o ganho nas junções de transistores bipolares.