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Samsung anuncia produção de grafeno em larga escala

Redação do Site Inovação Tecnológica - 05/04/2014

Samsung anuncia produção de grafeno em larga escala
Diversas "sementes" de carbono (no alto) se juntam para formar um cristal homogêneo de grafeno.
[Imagem: Jae-Hyun Lee et al./Science]

Fabricação industrial de grafeno

Pesquisadores da Samsung e da Universidade Sungkyungkwan, na Coreia do Sul, anunciaram ter descoberto uma técnica para fabricar grafeno em larga escala.

O grafeno tem qualidades imbatíveis em vários campos, tendo mostrado todo o seu potencial em laboratório.

Contudo, fabricar essa camada monoatômica de carbono não é uma tarefa fácil.

Os pesquisadores que ganharam o Prêmio Nobel pela descoberta do grafeno fabricaram suas primeiras amostras colando uma fita adesiva sobre um bloco de carvão - até hoje grande parte do grafeno usado nos experimentos é feito assim.

Agora, Jae-Hyun Lee e seus colegas anunciaram em um artigo na revista Science a descoberta de uma forma para fabricar camadas perfeitas de grafeno sobre pastilhas de silício.

"Aqui, descrevemos o crescimento em escala de pastilhas [wafers] de monocamadas de grafeno de cristal único, livres de rugas, em pastilha de silício usando uma camada de buffer de germânio terminada em hidrogênio," escrevem eles.

A simetria dos cristais de germânio permitiu o alinhamento de diversas "sementes" de carbono, que, quando crescem, se juntam para formar um cristal homogêneo de grafeno.

Como o grafeno não adere ao germânio, ele é transferido para uma pastilha de silício, enquanto o germânio é reaproveitado para fazer novos cristais.

"Este é um dos avanços mais significativos nas pesquisas com grafeno na história. Esperamos que esta descoberta acelere a comercialização do grafeno, o que poderia alavancar a próxima era da tecnologia da eletrônica de consumo," disse a Samsung em nota.

Bibliografia:

Artigo: Wafer-Scale Growth of Single-Crystal Monolayer Graphene on Reusable Hydrogen-Terminated Germanium
Autores: Jae-Hyun Lee, Eun Kyung Lee, Won-Jae Joo, Yamujin Jang, Byung-Sung Kim, Jae Young Lim, Soon-Hyung Choi, Sung Joon Ahn, Joung Real Ahn, Min-Ho Park, Cheol-Woong Yang, Byoung Lyong Choi, Sung-Woo Hwang, Dongmok Whang
Revista: Science
Vol.: Published Online
DOI: 10.1126/science.1252268
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