Eletrônica
LED melhora 122% trocando silício por cobre
Redação do Site Inovação Tecnológica - 26/06/2012
Em comparação com os LEDs comuns, fabricados sobre silício, a luz emitida pelo LED sobre cobre melhorou 122%.
[Imagem: Chen et al./AIP]
Efeito de confinamento quântico
Pesquisadores chineses conseguiram pela primeira vez substituir o silício pelo cobre na fabricação de LEDs.
Tufu Chen e seus colegas da Universidade Sun Yat-sen conseguiram transferir o semicondutor nitreto de gálio (GaN), crescido inicialmente sobre uma pastilha de silício, para uma camada de cobre.
E não foi apenas uma questão de "replantio".
O substrato de cobre permitiu que os cristais de nitreto de gálio liberassem estresses internos gerados quando eles são cultivados sobre o silício.
Esse "relaxamento" permitiu a minimização do chamado "efeito de confinamento quântico", um problema que reduz a eficiência dos LEDs.
O "relaxamento" dos cristais permitiu a minimização do chamado "efeito de confinamento quântico", um problema que reduz a eficiência dos LEDs.
[Imagem: Chen et al./AIP]
LED fenomenal
Em comparação com os LEDs comuns, fabricados sobre silício, a luz emitida pelo LED sobre cobre melhorou 122%.
Segundo os pesquisadores, esse ganho, considerado "fenomenal", deveu-se a uma série de fatores, gerados pela mudança do silício para o cobre:
- remoção do substrato absorvente;
- inserção de um metal refletor entre a estrutura do LED e o substrato;
- eliminação do "sombreamento" causado pelo eletrodo;
- rugosidade da superfície exposta, que melhorou a orientação do cristal sobre o substrato.
Bibliografia:
Artigo: Crack-free InGaN multiple quantum wells light-emitting diodes structures transferred from Si (111) substrate onto electroplating copper submount with embedded electrodes
Autores: Tufu Chen, Yunqian Wang, Peng Xiang, Ruihon Luo, Minggang Liu, Weimin Yang, Yuan Ren, Zhiyuan He, Yibin Yang, Weijie Chen, Xiaorong Zhang, Zhisheng Wu, Yang Liu, Bijun Zhang
Revista: Applied Physics Letters
Vol.: 100, 241112
DOI: 10.1063/1.4729414
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