Novo método para produzir transistor de nanotubo de carbono

Redação do Site Inovação Tecnológica - 02/10/2003

A empresa japonesa NEC anunciou o desenvolvimento de uma nova tecnologia de fabricação de transistores de nanotubos de carbono. Os pesquisadores da empresa descobriram que os transistores de nanotubos de carbono produzidos pelo novo processo possuem uma transcondutância 10 vezes maior do que aquela dos transistores de silício tradicionais.

A transcondutância é um índice que mede o desempenho de um transistor. Ele mostra a alteração obtida na corrente do emissor como resultado de uma alteração no coletor. Quanto maior o índice, maior é a velocidade de operação do transistor.

Os transistores de nanotubos de carbono, já conhecidos pela sigla CNT (do inglês "Carbon Nanotube Transistor"), são cristalizações cilíndricas de carbono, medindo alguns poucos nanômetros de diâmetro. As características físicas e elétricas desse material têm chamado a atenção e são alvo de pesquisas de inúmeros cientistas no mundo todo. Apesar de suas diminutas dimensões, esses transistores são capazes de conduzir enormes quantidades de corrente elétrica. Chips construídos com esse novo tipo de transistor terão velocidades eletrônicas muito superiores às atingidas pelos chips de silício atuais.

O novo processo se inicia com a deposição de vapor químico, utilizando um método catalístico que cria os transistores de nanotubos de carbon a partir da deposição do catalisador sobre um substrato de silício. Esta etapa permite o posicionamento dos transistores sobre o substrato, algo que não era possível com os processos até agora conhecidos.

A seguir são formadas as conexões dos eletrodos, que estabelecem um contato de baixa resistência entre o eletrodo e o transistor propriamente dito. A técnica diminui acentuadamente a resistência elétrica entre o transistor e os seus contatos, responsáveis pela conexão do transitor com os demais componentes.

A nova tecnologia é estável, ou seja, permite a fabricação dos transistores de nanotubos de carbono em formatos e quantidades padronizadas, algo muito diferente do processo seletivo, de tentativa e erro, até agora conhecido. Segundo os pesquisadores, é teoricamente possível atingir-se até 20 vezes maior transcondutância nos novos transistores.

A nova tecnologia foi anunciada na Conferência Internacional de Dispositivos de Estado Sólido, que terminou no último dia 18 em Tóquio.