A2RAM: memória revolucionária promete ultraminiaturização

Redação do Site Inovação Tecnológica - 26/11/2012

Noel Rodriguez (esquerda) e Francisco Gamiz (direita) apresentam o primeiro protótipo de sua memória de transístor único, a A2RAM.
[Imagem: UGR]

Revolução nas memórias?

Cientistas da Universidade de Granada, na Espanha, apresentaram o que eles alegam ser a maior inovação na área de memórias desde o advento dos computadores.

"Desde sua invenção nos anos 1960 por Robert Dennard, na IBM, as instruções e os dados necessários para o funcionamento de um computador são armazenados como zeros e uns em matrizes de células DRAM (Dynamic Random Access Memory)," comentou Francisco Gamiz.

Embora continuamente miniaturizadas, essas memórias veem funcionando praticamente com o mesmo conceito. Algo que o grupo de Gamiz e Noel Rodríguez espera mudar agora.

A-RAM e A2RAM

Os pesquisadores espanhóis projetaram sua memória A-RAM (Advanced Random Access Memory - memória de acesso aleatório avançada) em 2009.

Agora eles conseguiram fabricar os primeiros protótipos para demonstrar que o conceito funciona de fato - sobretudo que é possível fabricá-lo em escala industrial.

Segundo os pesquisadores, as células de memória A-RAM e sua variante A2RAM podem solucionar os problemas de miniaturização com que estão se deparando as memórias DRAM, que equipam praticamente todos os dispositivos digitais, como computadores, smartphones e tablets.

As novas memórias apresentam tempos de retenção de dados mais longos, consumo de energia muito baixo e uma grande separação entre os níveis lógicos, o que as torna especialmente imunes ao ruído, às interferências e à variabilidade dos processos tecnológicos de fabricação.

Esquema da memória de transístor único A-RAM (em cima) e A2RAM (embaixo).
[Imagem: F. Gamiz]

Memória de transístor único

Cada bit de memória DRAM é formado por um transistor e um capacitor. O dado é armazenado na forma de uma carga elétrica, e o transístor é usado para acessá-lo.

Atualmente já existem células de memória DRAM com dimensões na faixa dos 20 nanômetros, mas está se mostrando inviável miniaturizá-las ainda mais.

Isto se deve sobretudo à carga mínima necessária para distinguir claramente entre os dois estados de um bit (0 ou 1), o que tem impedido reduzir o tamanho do capacitor.

Os pesquisadores espanhóis projetaram então uma nova célula de memória sem o capacitor, formada por um único transístor.

"Se não podemos reduzir ainda mais o tamanho dos capacitores, a solução é substituí-lo por células de memória 1T-DRAM - memórias DRAM de um só transístor - que armazenam a informação no próprio transístor," disse Gamiz.

O transístor serve simultaneamente para armazenar a informação e para detectar o estado da célula, isto é, acessar o dado.

Rumo ao mercado

Segundo os pesquisadores, as memórias A-RAM e A2RAM receberam 10 patentes em Japão, EUA, Coreia e União Europeia.

Empresas como Samsung e Hynix (Coreia) e Micron (EUA) já demonstraram interesse em investir na fabricação das novas memórias.

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