Memória de nanofios pode guardar dados por até 100.000 anos

Redação do Site Inovação Tecnológica - 20/09/2007

Cientistas da Universidade da Pensilvânia, nos Estados Unidos, desenvolveram nanofios capazes de armazenar dados e recuperá-los 1.000 vezes mais rápido do que as memórias sólidas atuais, como as memórias flash. Além disso, os cálculos dos cientistas estimam que os dados ficarão armazenados em segurança por 100.000 anos.

Automontagem de nanofios

Os nanofios são feitos de telureto de antimônio-germânio e têm uma espessura equivalente a apenas 100 átomos. Ao invés da litografia, o método pelo qual os chips são construídos hoje, a equipe do Dr. Ritesh Agarwal utilizou um mecanismo chamado automontagem.

Na automontagem, os reagentes químicos se cristalizam a baixas temperaturas, mediados por um catalisador metálico. Esse processo de cristalização gera automaticamente os nanofios, que vão se formando à medida em que as reações químicas ocorrem. Os nanofios resultantes medem entre 30 e 50 nanômetros de diâmetro e até 10 micrômetros de comprimento.

Memória de nanofios pode guardar dados por até 100.000 anos Os nanofios são uma espécie de "matéria-prima". Foi com eles que os cientistas construíram as novas memórias sobre bases de silício. Os nanofios são o que se chama de material de alteração de fase, uma espécie de liga semicondutora que é considerada uma das mais promissoras para a construção de uma nova geração de memórias de computador (veja também Novo material gera memória não volátil 500 vezes mais rápida que memória Flash).

Os nanofios funcionam como transistores de efeito de campo (FET). Como seu próprio nome indica, um material de alteração de fase alterna entre as fases cristalina e amorfa. Essa alternância é induzida pela aplicação de um pulso elétrico. Para gravar na memória, é enviado um pulso SET, que coloca o material na sua forma cristalina. Um pulso RESET leva-o de volta para a fase amorfa, apagando os dados.

Memórias mais rápidas

Os testes revelaram um baixíssimo consumo de energia, de apenas 0,7 mW por bit. O tempo para escrita, leitura e apagamento dos dados na memória é de 50 nanosegundos, cerca de 1.000 vezes mais rápido do que as memórias flash hoje utilizadas na maioria dos dispositivos de armazenamento portáteis, pen-drives e câmeras digitais.

"Esse novo tipo de memória tem o potencial para revolucionar a forma como compartilhamos informações, transferimos dados e até mesmo como baixamos programas de entretenimento na qualidade de consumidores," diz o Dr. Agarwal.